Справочник транзисторов. KSD880G

 

Биполярный транзистор KSD880G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD880G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD880G

 

 

KSD880G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:59K  fairchild semi
ksd880.pdf

KSD880G
KSD880G

KSD880Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB834TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 AIB Base Current 0.3 A PC Collector

 8.2. Size:176K  onsemi
ksd880.pdf

KSD880G
KSD880G

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.3. Size:209K  inchange semiconductor
ksd880w.pdf

KSD880G
KSD880G

isc Silicon NPN Power Transistor KSD880WDESCRIPTIONComplement to KSB834W100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Voltage 60 VCEOV Emitter-Base

 8.4. Size:216K  inchange semiconductor
ksd880.pdf

KSD880G
KSD880G

isc Silicon NPN Power Transistor KSD880DESCRIPTIONCollector-Emitter sustaining Voltage: V =60V(Min)CEOGood Linearity of hFEComplement to KSB834Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLinear and switching industrial applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top