Справочник транзисторов. KSD985

 

Биполярный транзистор KSD985 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD985
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для KSD985

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD985 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 ksd985.pdf pdf_icon

KSD985

KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

Другие транзисторы... KSD880G , KSD880O , KSD880Y , KSD882 , KSD882G , KSD882O , KSD882R , KSD882Y , D882P , KSD985O , KSD985R , KSD985Y , KSD986 , KSD986O , KSD986R , KSD986Y , KSE13003 .

 

 
Back to Top

 


 
.