KSE3055T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE3055T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSE3055T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE3055T даташит

 ..1. Size:38K  fairchild semi
 kse3055t.pdf pdf_icon

KSE3055T

KSE3055T General Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2MHz (Min.) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы: KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210, KSE2955T, BD139, KSE340, KSE350, KSE44H-1, KSE44H-10, KSE44H-11, KSE44H-2, KSE44H-4, KSE44H-5