KSH122I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSH122I  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для KSH122I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH122I даташит

 8.1. Size:57K  fairchild semi
 ksh122.pdf pdf_icon

KSH122I

 8.2. Size:24K  samsung
 ksh122.pdf pdf_icon

KSH122I

KSH122 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR D-PACK FOR SURFACE MOUNT D-PAK APPLICATIONS High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I. PACK, - I Suffix) 1 Electrically Similar to Popular TIP122 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1. Base 2. Collector 3. Emitter Characteristic Symbol Rating Un

 8.3. Size:256K  inchange semiconductor
 ksh122.pdf pdf_icon

KSH122I

isc Silicon NPN Power Transistor KSH122 DESCRIPTION High DC current gain Built-in a damper diode at E-C Electrically similar to popular TIP122 DPAK for surface mount applications Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSE801, KSE802, KSE803, KSH112, KSH112I, KSH117, KSH117I, KSH122, BC327, KSH127, KSH127I, KSH13003, KSH13003I, KSH200, KSH200I, KSH210, KSH210I