KSH200I - описание и поиск аналогов

 

KSH200I - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSH200I
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSH200I

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH200I - технические параметры

 8.1. Size:156K  fairchild semi
 ksh200.pdf pdf_icon

KSH200I

August 2010 KSH200 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base

 8.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ksh200.pdf pdf_icon

KSH200I

isc Silicon NPN Power Transistor KSH200 DESCRIPTION High DC current gain Built-in a damper diode at E-C Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) DPAK for surface mount applications 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency power a

Другие транзисторы... KSH117I , KSH122 , KSH122I , KSH127 , KSH127I , KSH13003 , KSH13003I , KSH200 , BD335 , KSH210 , KSH210I , KSH29 , KSH2955 , KSH2955I , KSH29C , KSH29CI , KSH29I .

 

 
Back to Top

 


 
.