KSH200I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSH200I

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSH200I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH200I даташит

 8.1. Size:156K  fairchild semi
 ksh200.pdf pdf_icon

KSH200I

August 2010 KSH200 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base

 8.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ksh200.pdf pdf_icon

KSH200I

isc Silicon NPN Power Transistor KSH200 DESCRIPTION High DC current gain Built-in a damper diode at E-C Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) DPAK for surface mount applications 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency power a

Другие транзисторы: KSH117I, KSH122, KSH122I, KSH127, KSH127I, KSH13003, KSH13003I, KSH200, BD335, KSH210, KSH210I, KSH29, KSH2955, KSH2955I, KSH29C, KSH29CI, KSH29I