KSP8097 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP8097  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP8097

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP8097 даташит

 8.1. Size:37K  fairchild semi
 ksp8098 ksp8099.pdf pdf_icon

KSP8097

KSP8098/8099 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO= KSP8098 60V KSP8099 80V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCB

Другие транзисторы: KSP62, KSP63, KSP64, KSP6520, KSP6521, KSP75, KSP76, KSP77, BC337, KSP8098, KSP8099, KSP8598, KSP8599, KSP92, KSP93, KSR1001, KSR1002