Справочник транзисторов. KSR1105

 

Биполярный транзистор KSR1105 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSR1105
   Маркировка: R05
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1105

 

 

KSR1105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  fairchild semi
ksr1105.pdf

KSR1105
KSR1105

KSR1105Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=10K) Complement to KSR21052SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1R05BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.1. Size:54K  fairchild semi
ksr1107.pdf

KSR1105
KSR1105

KSR1107Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =22K, R2=47K) Complement to KSR21072SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1R07BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.2. Size:49K  fairchild semi
ksr1109.pdf

KSR1105
KSR1105

KSR1109Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=4.7K) Complement to KSR21092SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR09RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter

 8.3. Size:52K  fairchild semi
ksr1104.pdf

KSR1105
KSR1105

KSR1104Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =47K, R2=47K) Complement to KSR21042SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1R04BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.4. Size:68K  samsung
ksr1106.pdf

KSR1105
KSR1105

 8.5. Size:67K  samsung
ksr1108.pdf

KSR1105
KSR1105

 8.6. Size:67K  samsung
ksr1102.pdf

KSR1105
KSR1105

 8.7. Size:68K  samsung
ksr1101.pdf

KSR1105
KSR1105

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top