KSR1105 - описание и поиск аналогов

 

KSR1105 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSR1105
   Маркировка: R05
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1105

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1105 - технические параметры

 ..1. Size:53K  fairchild semi
 ksr1105.pdf pdf_icon

KSR1105

KSR1105 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=10K ) Complement to KSR2105 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R05 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:54K  fairchild semi
 ksr1107.pdf pdf_icon

KSR1105

KSR1107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =22K , R2=47K ) Complement to KSR2107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R07 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:49K  fairchild semi
 ksr1109.pdf pdf_icon

KSR1105

KSR1109 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to KSR2109 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R09 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

 8.3. Size:52K  fairchild semi
 ksr1104.pdf pdf_icon

KSR1105

KSR1104 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =47K , R2=47K ) Complement to KSR2104 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R04 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR1008 , KSR1009 , KSR1010 , KSR1011 , KSR1012 , KSR1101 , KSR1102 , KSR1104 , A733 , KSR1106 , KSR1107 , KSR1108 , KSR1109 , KSR1110 , KSR1111 , KSR1112 , KSR1113 .

 

 
Back to Top

 


 
.