KSR1112 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSR1112  📄📄 

Маркировка: R12

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSR1112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1112 даташит

 ..1. Size:34K  samsung
 ksr1112.pdf pdf_icon

KSR1112

 8.1. Size:46K  fairchild semi
 ksr1114.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1114 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to KSR2114 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R14 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:36K  fairchild semi
 ksr1110.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1110 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to KSR2110 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R10 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter V

 8.3. Size:43K  fairchild semi
 ksr1111.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1111 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to KSR2111 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R11 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR1104, KSR1105, KSR1106, KSR1107, KSR1108, KSR1109, KSR1110, KSR1111, 2SC1815, KSR1113, KSR1114, KSR2001, KSR2002, KSR2003, KSR2004, KSR2005, KSR2006