KSR1112 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KSR1112 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSR1112
   Маркировка: R12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1112

 

KSR1112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  samsung
 ksr1112.pdf pdf_icon

KSR1112

 8.1. Size:46K  fairchild semi
 ksr1114.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1114 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to KSR2114 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R14 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:36K  fairchild semi
 ksr1110.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1110 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to KSR2110 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R10 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter V

 8.3. Size:43K  fairchild semi
 ksr1111.pdf pdf_icon

KSR1112

KSR1111 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to KSR2111 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R11 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR1104 , KSR1105 , KSR1106 , KSR1107 , KSR1108 , KSR1109 , KSR1110 , KSR1111 , B772 , KSR1113 , KSR1114 , KSR2001 , KSR2002 , KSR2003 , KSR2004 , KSR2005 , KSR2006 .

 

 
Back to Top

 


 
.