Справочник транзисторов. KSR1112

 

Биполярный транзистор KSR1112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSR1112
   Маркировка: R12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1112

 

 

KSR1112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  samsung
ksr1112.pdf

KSR1112

 8.1. Size:46K  fairchild semi
ksr1114.pdf

KSR1112
KSR1112

KSR1114Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to KSR21142SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1R14BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.2. Size:36K  fairchild semi
ksr1110.pdf

KSR1112
KSR1112

KSR1110Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to KSR21102SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR10RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter V

 8.3. Size:43K  fairchild semi
ksr1111.pdf

KSR1112
KSR1112

KSR1111Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to KSR21112SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR11RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter

 8.4. Size:44K  fairchild semi
ksr1113.pdf

KSR1112
KSR1112

KSR1113Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to KSR21132SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1R13BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top