KSR2009 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KSR2009 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSR2009
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSR2009

 

KSR2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  samsung
 ksr2009.pdf pdf_icon

KSR2009

KSR2009 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7 ) Complement to KSR1009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage

 8.1. Size:34K  fairchild semi
 ksr2005.pdf pdf_icon

KSR2009

KSR2005 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to KSR1005 TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Equivalent Circuit C R1 B R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Va

 8.2. Size:42K  samsung
 ksr2008.pdf pdf_icon

KSR2009

KSR2008 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR1008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

 8.3. Size:42K  samsung
 ksr2004.pdf pdf_icon

KSR2009

KSR2004 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92 Built in bias Resistor (R1=47 , R2=47 ) Complement to KSR1004 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR2001 , KSR2002 , KSR2003 , KSR2004 , KSR2005 , KSR2006 , KSR2007 , KSR2008 , 2SC2625 , KSR2010 , KSR2011 , KSR2011F , KSR2012 , KSR2012F , KSR2101 , KSR2102 , KSR2103 .

 

 
Back to Top

 


 
.