KT316DM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT316DM  📄📄 

Маркировка: КТ316ДМ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT316DM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT316DM даташит

 9.1. Size:847K  russia
 kt316a-b-v-g-d 2t316a-b-v-g-d.pdf pdf_icon

KT316DM

Другие транзисторы: KT3168A-9, KT3169A-9, KT3169A9-1, KT316A, KT316AM, KT316B, KT316BM, KT316D, BC549, KT316G, KT316GM, KT316V, KT316VM, KT3170A-9, KT3171A-9, KT3172A-9, KT3173A-9