KT635B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT635B  📄📄 

Маркировка: КТ635Б

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT635B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT635B даташит

 ..1. Size:646K  russia
kt635b 2t635a.pdfpdf_icon

KT635B

Другие транзисторы: KT630V, KT632B, KT632B-1, KT633A, KT633B, KT634A-2, KT634B-2, KT635A, TIP122, KT637A-2, KT637B-2, KT638A, KT639A, KT639A1, KT639B, KT639B1, KT639D