KT660B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT660B  📄📄 

Маркировка: КТ660Б

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT660B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT660B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT646B, KT647A-2, KT648A-2, KT657A-2, KT657B-2, KT657V-2, KT659A, KT660A, 9014, KT661A, KT662A, KT664A9, KT664B9, KT665A9, KT665B9, KT666A9, KT667A9