KT665B9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT665B9  📄📄 

Маркировка: КТ665Б9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT665B9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT665B9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT659A, KT660A, KT660B, KT661A, KT662A, KT664A9, KT664B9, KT665A9, S9013, KT666A9, KT667A9, KT668A, KT668B, KT668V, KT671A-2, KT680A, KT681A