KT666A9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT666A9  📄📄 

Маркировка: КТ666А9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT666A9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT666A9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT660A, KT660B, KT661A, KT662A, KT664A9, KT664B9, KT665A9, KT665B9, 2SC2655, KT667A9, KT668A, KT668B, KT668V, KT671A-2, KT680A, KT681A, KT682A-2