Биполярный транзистор 2N407 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N407
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6.7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: TO40
2N407 Datasheet (PDF)
2n4070.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Другие транзисторы... 2N406 , 2N4060 , 2N4061 , 2N4062 , 2N4063 , 2N4064 , 2N4068 , 2N4069 , 2N5401 , 2N4070 , 2N4071 , 2N4072 , 2N4073 , 2N4074 , 2N4075 , 2N4076 , 2N4077 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050