2N407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N407  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6.7 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 65

Encapsulados: TO40

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2N407 datasheet

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2N407

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2N407

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

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