2N4070 - описание и поиск аналогов

 

2N4070. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4070

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N4070

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4070 даташит

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
2n4070.pdfpdf_icon

2N4070

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.1. Size:135K  rca
2n407.pdfpdf_icon

2N4070

Другие транзисторы: 2N4060, 2N4061, 2N4062, 2N4063, 2N4064, 2N4068, 2N4069, 2N407, 2N5551, 2N4071, 2N4072, 2N4073, 2N4074, 2N4075, 2N4076, 2N4077, 2N4078

 

 

 

 

↑ Back to Top
.