Биполярный транзистор 2N4070 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4070
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO3
2N4070 Datasheet (PDF)
..1. Size:183K inchange semiconductor
2n4070.pdf
2n4070.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Другие транзисторы... 2N4060 , 2N4061 , 2N4062 , 2N4063 , 2N4064 , 2N4068 , 2N4069 , 2N407 , 2N5401 , 2N4071 , 2N4072 , 2N4073 , 2N4074 , 2N4075 , 2N4076 , 2N4077 , 2N4078 .
