2N4070 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4070
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
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2N4070 Datasheet (PDF)
2n4070.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Otros transistores... 2N4060 , 2N4061 , 2N4062 , 2N4063 , 2N4064 , 2N4068 , 2N4069 , 2N407 , AC125 , 2N4071 , 2N4072 , 2N4073 , 2N4074 , 2N4075 , 2N4076 , 2N4077 , 2N4078 .
History: 2SA1013T | ESM5008



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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