KTB688 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KTB688 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTB688
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для KTB688

 

KTB688 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  kec
ktb688.pdfpdf_icon

KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD718. Recommended for 45 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATI

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
ktb688.pdfpdf_icon

KTB688

isc Silicon PNP Power Transistor KTB688 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type KTD718 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applicat

 0.1. Size:443K  kec
ktb688b.pdfpdf_icon

KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTD718B. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 + 0.20 E _

Другие транзисторы... KTB1367 , KTB1368 , KTB1369 , KTB1370 , KTB1423 , KTB1424 , KTB2955 , KTB595 , C945 , KTB778 , KTB817 , KTB988 , KTB989 , KTC1001 , KTC1003 , KTC1006 , KTC1008 .

History: IT138

 

 
Back to Top

 


 
.