Справочник транзисторов. KTB688

 

Биполярный транзистор KTB688 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KTB688
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для KTB688

 

 

KTB688 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  kec
ktb688.pdf

KTB688 KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURES Complementary to KTD718. Recommended for 45 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATI

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
ktb688.pdf

KTB688 KTB688

isc Silicon PNP Power Transistor KTB688DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD718Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicat

 0.1. Size:443K  kec
ktb688b.pdf

KTB688 KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURES O KRecommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to KTD718B. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20_C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 + 0.20E_

Другие транзисторы... KTB1367 , KTB1368 , KTB1369 , KTB1370 , KTB1423 , KTB1424 , KTB2955 , KTB595 , 2N3055 , KTB778 , KTB817 , KTB988 , KTB989 , KTC1001 , KTC1003 , KTC1006 , KTC1008 .

 

 
Back to Top