KTB688 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB688  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB688

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB688 даташит

 ..1. Size:42K  kec
 ktb688.pdf pdf_icon

KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to KTD718. Recommended for 45 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATI

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
 ktb688.pdf pdf_icon

KTB688

isc Silicon PNP Power Transistor KTB688 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type KTD718 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applicat

 0.1. Size:443K  kec
 ktb688b.pdf pdf_icon

KTB688

SEMICONDUCTOR KTB688B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTD718B. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 + 0.20 E _

Другие транзисторы: KTB1367, KTB1368, KTB1369, KTB1370, KTB1423, KTB1424, KTB2955, KTB595, 2N3904, KTB778, KTB817, KTB988, KTB989, KTC1001, KTC1003, KTC1006, KTC1008