Справочник транзисторов. KTB778

 

Биполярный транзистор KTB778 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTB778
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KTB778 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  kec
 ktb778.pdf pdf_icon

KTB778

SEMICONDUCTOR KTB778TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RComplementary to KTD998._+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXRecommended for 4550W Audio Frequency E 8.00VF 5.00Amplifier Output Stage._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM

 ..2. Size:225K  inchange semiconductor
 ktb778.pdf pdf_icon

KTB778

isc Silicon PNP Power Transistor KTB778DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD998Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOL

 9.1. Size:396K  kec
 ktb772.pdf pdf_icon

KTB778

SEMICONDUCTOR KTB772TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER ALOW SPEED SWITCHING BDCEFEATURESFComplementary to KTD882.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -40 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3G 2.9 MAXVCEO -30 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BLY84 | OC70N | 2N5034 | PBSS5240X | BC253C | CMC7015A | MP1538

 

 
Back to Top

 


 
.