Биполярный транзистор KTB778 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTB778
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3P
KTB778 Datasheet (PDF)
ktb778.pdf
SEMICONDUCTOR KTB778TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RComplementary to KTD998._+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXRecommended for 4550W Audio Frequency E 8.00VF 5.00Amplifier Output Stage._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM
ktb778.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KTB778DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD998Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOL
ktb772.pdf
SEMICONDUCTOR KTB772TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER ALOW SPEED SWITCHING BDCEFEATURESFComplementary to KTD882.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -40 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3G 2.9 MAXVCEO -30 V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050