KTN2907A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTN2907A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTN2907A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTN2907A даташит

 0.1. Size:704K  kec
 ktn2907s ktn2907as.pdf pdf_icon

KTN2907A

SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ Low Leakage Current A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.20 1 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m

 0.2. Size:83K  kec
 ktn2907ae.pdf pdf_icon

KTN2907A

SEMICONDUCTOR KTN2907AE TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Low Leakage Current D DIM MILLIMETERS ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. 2 _ + A 1.60 0.10 Low Saturation Voltage _ + B 0.85 0.10 3 1 _ C 0.70 0.10 + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementar

 0.3. Size:50K  kec
 ktn2907u ktn2907au.pdf pdf_icon

KTN2907A

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + A 2.00 0.20 D 2 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Saturation Voltage 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTN2222A, KTN2222AS, KTN2222S, KTN2369, KTN2369A, KTN2369S, KTN2369U, KTN2907, 8550, KTN2907AS, KTN2907S, KTN2907U, KTP5513, KTS394A, KTS394B, KU601, KU602