MA200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MA200
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 105 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 105 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
MA200 Datasheet (PDF)
fdma2002nz.pdf
May 20 0 t tm tm tm FDMA2002NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 V This device is designed specifically as a single package RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V solution for dual switching requirements in cellular RDS(ON) = 163 m @ VGS = 2.5 V handset and other ultra-portable applications. It fea
fdma2002nz.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... MA1702 , MA1703 , MA1704 , MA1705 , MA1706 , MA1707 , MA1708 , MA2 , BD333 , MA201 , MA202 , MA203 , MA204 , MA2043 , MA205 , MA206 , MA240 .
History: TIP55A
History: TIP55A
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438



