Биполярный транзистор MA4104 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MA4104
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
MA4104 Datasheet (PDF)
fdma410nz.pdf
April 2009FDMA410NZSingle N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.5 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 29 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special M
ama410n.pdf
Analog Power AMA410NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V4.7 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050