MD6003 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MD6003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MD6003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO77

Аналоги (замена) для MD6003

MD6003 Datasheet (PDF)

0.1. Size:1830K willsemi
wnmd6003.pdf

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2trench technology and design to provide excellent 6 5 4RDS (ON) with low gate charge. This d

9.1. Size:197K onsemi
nimd6001n nimd6001an.pdf

NIMD6001N, NIMD6001ANDual N-Channel Driver withDiagnostic Output60 V, 3 A, 110 mWNIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with anintegrated common disable input and drain diagnostic output. Pullinghttp://onsemi.comthe Disable pin low will override any applied gate voltages and turn offboth FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed3.0 AMPERESapproximately 50

9.2. Size:206K onsemi
nimd6001n.pdf