Справочник транзисторов. MJ12002

 

Биполярный транзистор MJ12002 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ12002
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MJ12002

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ12002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 mj12002.pdf pdf_icon

MJ12002

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12002DESCRIPTIONHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector- Base Voltage 1500

 8.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj12004.pdf pdf_icon

MJ12002

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 8.2. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12003.pdf pdf_icon

MJ12002

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12003DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 8.3. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12005.pdf pdf_icon

MJ12002

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12005DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ11022 , MJ11028 , MJ11029 , MJ11030 , MJ11031 , MJ11032 , MJ11033 , MJ1200 , 2N4401 , MJ12003 , MJ12004 , MJ12005 , MJ1201 , MJ12010 , MJ12020 , MJ12021 , MJ12022 .

History: 2SB764E | 2N4261UB

 

 
Back to Top

 


 
.