Биполярный транзистор MJ12005 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ12005
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO3
MJ12005 Datasheet (PDF)
mj12005.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ12005DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
mj12004.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE
mj12003.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ12003DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
mj12002.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ12002DESCRIPTIONHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector- Base Voltage 1500
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050