MJ12005 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MJ12005 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJ12005
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для MJ12005

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ12005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12005.pdf pdf_icon

MJ12005

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12005DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 8.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj12004.pdf pdf_icon

MJ12005

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 8.2. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12003.pdf pdf_icon

MJ12005

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12003DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 8.3. Size:204K  inchange semiconductor
 mj12002.pdf pdf_icon

MJ12005

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12002DESCRIPTIONHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector- Base Voltage 1500

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ11030 , MJ11031 , MJ11032 , MJ11033 , MJ1200 , MJ12002 , MJ12003 , MJ12004 , 2SD669A , MJ1201 , MJ12010 , MJ12020 , MJ12021 , MJ12022 , MJ13014 , MJ13015 , MJ13070 .

History: 2SC2107G4 | MQ1613 | 2SD1619S | HMBT2907A | BC847BLP4 | US6T5

 

 
Back to Top

 


 
.