Справочник транзисторов. MJ1201

 

Биполярный транзистор MJ1201 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ1201
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналог (замена) для MJ1201

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ1201 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj12004.pdf pdf_icon

MJ1201

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 9.2. Size:206K  inchange semiconductor
 mj12021.pdf pdf_icon

MJ1201

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12021DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min)CEO(SUS)Fast Turn-Off TimeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high resolution video systems, such as : highdensity graphic displays, data terminals, video scanners.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.3. Size:206K  inchange semiconductor
 mj12020.pdf pdf_icon

MJ1201

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12020DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min)CEO(SUS)Fast Turn-Off TimeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high resolution video systems, such as : highdensity graphic displays, data terminals, video scanners.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.4. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12003.pdf pdf_icon

MJ1201

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12003DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 750V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in CRT deflection circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ11031 , MJ11032 , MJ11033 , MJ1200 , MJ12002 , MJ12003 , MJ12004 , MJ12005 , S9013 , MJ12010 , MJ12020 , MJ12021 , MJ12022 , MJ13014 , MJ13015 , MJ13070 , MJ13071 .

 

 
Back to Top

 


 
.