MJ12021 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ12021  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ12021

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ12021 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 mj12021.pdf pdf_icon

MJ12021

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12021 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) Fast Turn-Off Time Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high resolution video systems, such as high density graphic displays, data terminals, video scanners. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.1. Size:206K  inchange semiconductor
 mj12020.pdf pdf_icon

MJ12021

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12020 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) Fast Turn-Off Time Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high resolution video systems, such as high density graphic displays, data terminals, video scanners. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.2. Size:206K  inchange semiconductor
 mj12022.pdf pdf_icon

MJ12021

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12022 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) Fast Turn-Off Time Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high resolution video systems, such as high density graphic displays, data terminals, video scanners. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj12004.pdf pdf_icon

MJ12021

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 750V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ1200, MJ12002, MJ12003, MJ12004, MJ12005, MJ1201, MJ12010, MJ12020, 2222A, MJ12022, MJ13014, MJ13015, MJ13070, MJ13071, MJ13080, MJ13081, MJ13090