Справочник транзисторов. MJ13015

 

Биполярный транзистор MJ13015 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ13015
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MJ13015

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13015 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:82K  njs
mj13009.pdfpdf_icon

MJ13015

 9.2. Size:33K  no
mj13001a.pdfpdf_icon

MJ13015

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
mj13070 mj13071.pdfpdf_icon

MJ13015

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13070/13071DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13070CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13071High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critical.

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
mj13090 mj13091.pdfpdf_icon

MJ13015

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13090/13091DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13090CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13091High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critical.

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2PB709AR

 

 
Back to Top

 


 
.