MJ13070 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MJ13070 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ13070 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MJ13070

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MJ13070 даташит

..1. Size:207K inchange semiconductor
mj13070 mj13071.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13070/13071 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13070 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13071 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

..2. Size:137K inchange semiconductor
mj13070 13071.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13070/13071 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min) MJ13070 = 450V(Min) MJ13071 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

9.1. Size:82K njs
mj13009.pdf pdf_icon