MJ14001 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги MJ14001. Основные параметры


   Наименование производителя: MJ14001
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ14001

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ14001 даташит

 ..1. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003 mj14003g mj14002g mj14001g.pdf pdf_icon

MJ14001

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 ..2. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003.pdf pdf_icon

MJ14001

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 0.1. Size:241K  motorola
 mj14001r.pdf pdf_icon

MJ14001

Order this document MOTOROLA by MJ14001/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJ14002* High-Current Complementary PNP MJ14001 Silicon Power Transistors . . . designed for use in high power amplifier and switching circuit applications, MJ14003* High Current Capability IC Continuous = 60 Amperes DC Current Gain hFE = 15 100 @ IC = 50 Adc *Motorola Preferred Device

 8.1. Size:90K  onsemi
 mj14003g.pdf pdf_icon

MJ14001

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ13101 , MJ13330 , MJ13331 , MJ13332 , MJ13333 , MJ13334 , MJ13335 , MJ14000 , S9018 , MJ14002 , MJ14003 , MJ15001 , MJ15002 , MJ15003 , MJ15004 , MJ15011 , MJ15012 .

History: MJ15002

 

 

 


 
↑ Back to Top
.