Биполярный транзистор MJ16110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ16110
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
Корпус транзистора: TO3
MJ16110 Datasheet (PDF)
mj16110.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ16110DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in half bridge and full bridge off lineconverters.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PAR
mj16110r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ16110/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA*MJ16110*MJW16110Designer's Data Sheet*Motorola Preferred DeviceNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORSSWITCHMODE Bridge Series15 AMPERES. . . specifically designed for use in half bridge and full bridge off line converters. 400 VOLTS175 AND 135 WATTS Excellent Dynamic Saturation Char
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050