MJ3773. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ3773

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ3773

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ3773 даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 mj3773.pdf pdf_icon

MJ3773

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ3773 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat)=0.8V(Max)@Ic=10A Low Leakage - Icbo=1mA(max)@140V High Current-Gain-Bandwidth Product- fT=1MHz(min)@Ic=1A APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching applications. For ultimate circuit performance bas

 9.1. Size:200K  inchange semiconductor
 mj3772.pdf pdf_icon

MJ3773

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ3772 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat)=0.8V(Max)@Ic=10A Low Leakage - Icbo=1mA(max)@100V High Current-Gain-Bandwidth Product- fT=2MHz(min)@Ic=1A APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching applications. For ultimate circuit performance bas

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
 mj3771.pdf pdf_icon

MJ3773

isc Silicon NPN Power Transistor MJ3771 DESCRIPTION High DC Current Gain Wide Area of Safe Operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 50 V CBO

Другие транзисторы: MJ3585, MJ3701, MJ3738, MJ3739, MJ3760, MJ3761, MJ3771, MJ3772, S9018, MJ3801, MJ3802, MJ400, MJ4000, MJ4001, MJ4010, MJ4011, MJ4030