MJ4101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ4101

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для MJ4101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ4101 даташит

 9.1. Size:139K  motorola
 mj410rev.pdf pdf_icon

MJ4101

Order this document MOTOROLA by MJ410/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ410 High Voltage NPN Silicon 5 AMPERE Transistors POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and 200 VOLTS switching circuits. 100 WATTS High Collector Emitter Voltage VCEO = 200 Volts DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc

 9.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mj410.pdf pdf_icon

MJ4101

isc Silicon NPN Power Transistor MJ410 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V )= 0.8V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits.

Другие транзисторы: MJ4011, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ4033, MJ4034, MJ4035, MJ410, BD139, MJ411, MJ413, MJ420, MJ4200, MJ4201, MJ420S, MJ421, MJ4210