MJ4502. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJ4502
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для MJ4502
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJ4502 даташит
mj4502.pdf
MJ4502 High-Power PNP Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. Features http //onsemi.com High DC Current Gain - hFE = 25-100 @ IC = 7.5 A 30 AMPERE Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTOR Complement to the NPN MJ802 PNP SILICON Pb-Free Package is Available* 100 V
mj4502.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor MJ4502 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 25-100@I = -7.5A FE C Excellent Safe Operating Area Complement to the NPN MJ802 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. ABSOLUTE M
mj4502re.pdf
Order this document MOTOROLA by MJ4502/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ4502 High-Power PNP Silicon 30 AMPERE Transistor POWER TRANSISTOR PNP SILICON . . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100 Watts 100 VOLTS music power per channel. 200 WATTS High DC Current Gain hFE = 25 100 @ IC = 7.5 A Excellent Safe Operating Area Compleme
Другие транзисторы: MJ4360, MJ4361, MJ4380, MJ4381, MJ440, MJ4401, MJ4440, MJ450, 2SD1047, MJ4645, MJ4646, MJ4647, MJ4648, MJ480, MJ481, MJ490, MJ491
History: BTB1386M3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620




