Справочник транзисторов. MJD148

 

Биполярный транзистор MJD148 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD148
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO251
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJD148 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  onsemi
 mjd148.pdf pdf_icon

MJD148

MJD148NPN Silicon PowerTransistorDPAK for Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingwww.onsemi.comapplications.FeaturesPOWER TRANSISTOR High Gain4.0 AMPERES Low Saturation Voltage45 VOLTS, 20 WATTS High Current Gain - Bandwidth ProductCOLLECTOR Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in2, 4 NJV Prefix for Autom

 ..2. Size:591K  cdil
 mjd148.pdf pdf_icon

MJD148

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS MJD148 DPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 45 VVCBOCollector Base Voltage 45 VEmitter Base Volta

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
 mjd148.pdf pdf_icon

MJD148

isc Silicon NPN Power Transistor MJD148DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85(Min) @ I = 0.5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max.)@ I = 2ACE(sat) CDPAK for Surface Mount ApplicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifer and low speedswitching appli

 0.1. Size:148K  onsemi
 njvmjd148.pdf pdf_icon

MJD148

MJD148, NJVMJD148T4GNPN Silicon PowerTransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.FeaturesPOWER TRANSISTOR High Gain - 50 Min @ IC = 2.0 A4.0 AMPERES Low Saturation Voltage - 0.5 V @ IC = 2.0 A45 VOLTS, 20 WATTS High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 3.0 MHz Min @

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BFX34SMD05 | MP8212

 

 
Back to Top

 


 
.