Справочник транзисторов. MJD243

 

Биполярный транзистор MJD243 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD243
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO251
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJD243 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  onsemi
 mjd243 mjd253.pdf pdf_icon

MJD243

MJD243 (NPN),MJD253 (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsDPAK-3 for Surface Mount Applicationswww.onsemi.comDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.4.0 A, 100 V, 12.5 WFeaturesPOWER TRANSISTOR High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves COMPLEMENTARY(No Suffix)COLLECTOR COLL

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 mjd243.pdf pdf_icon

MJD243

isc Silicon NPN Power Transistor MJD243DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min) @ I = 0.2 AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.3V(Max.)@ I = 0.5 ACE(sat) CComplement to the PNP MJD253Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low power audio amplifier and low-current,high-speed switching

 0.1. Size:209K  motorola
 mjd243re.pdf pdf_icon

MJD243

Order this documentMOTOROLAby MJD243/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPlastic Power Transistor MJD243*DPAK For Surface Mount Applications*Motorola Preferred Device. . . designed for low voltage, lowpower, highgain audio amplifier applications.NPN SILICON CollectorEmitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcPOWER TRANSISTOR High DC Curr

 0.2. Size:200K  onsemi
 mjd243g.pdf pdf_icon

MJD243

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PBLS1501Y | 2SC4061 | BC487L

 

 
Back to Top

 


 
.