MJE1290. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE1290

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для MJE1290

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE1290 даташит

 9.1. Size:118K  inchange semiconductor
 mje12007.pdf pdf_icon

MJE1290

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE12007 DESCRIPTION With TO-220 package High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Suited for line-operated switchmode applications such as Fluorescent lamp ballasts Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 B

Другие транзисторы: MJE1091, MJE1092, MJE1093, MJE1100, MJE1101, MJE1102, MJE1103, MJE12007, A1013, MJE1291, MJE13002, MJE13003, MJE13004, MJE13005, MJE13006, MJE13007, MJE13007A