MJE2360 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE2360  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE2360

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE2360 даташит

 0.1. Size:98K  motorola
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2360

Order this document MOTOROLA by MJE2360T/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJE2360T MJE2361T NPN Silicon High-Voltage Transistor 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS . . . useful for general purpose, high voltage applications requiring high fT. NPN SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage 350 VOLTS VCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc 30 WATTS DC Current Gain

 0.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2360

isc Silicon NPN Power Transistor MJE2360T DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = 350 V(Min) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 25(Min) @ I = 50mA FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 100mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low power audio amplifier

Другие транзисторы: MJE224, MJE225, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235, 13003, MJE2360T, MJE2361, MJE2361T, MJE2370, MJE2371, MJE240, MJE241, MJE242