MJE2370 - описание и поиск аналогов

 

MJE2370 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJE2370
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для MJE2370

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE2370 - технические параметры

 9.1. Size:98K  motorola
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2370

Order this document MOTOROLA by MJE2360T/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJE2360T MJE2361T NPN Silicon High-Voltage Transistor 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS . . . useful for general purpose, high voltage applications requiring high fT. NPN SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage 350 VOLTS VCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc 30 WATTS DC Current Gain

 9.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2370

isc Silicon NPN Power Transistor MJE2360T DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = 350 V(Min) CEO(SUS) DC Current Gain- h = 25(Min) @ I = 50mA FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 100mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low power audio amplifier

Другие транзисторы... MJE232 , MJE233 , MJE234 , MJE235 , MJE2360 , MJE2360T , MJE2361 , MJE2361T , BC327 , MJE2371 , MJE240 , MJE241 , MJE242 , MJE243 , MJE244 , MJE2480 , MJE2481 .

 

 
Back to Top

 


 
.