MJE344. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJE344
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для MJE344
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJE344 даташит
mje3440.pdf
MJE3440 SILICON NPN TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar transistors in SOT-32 plastic package. It is designed for use in consumer and industrial line-operated applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO 350 V Collector-Base Voltag
mje344g.pdf
MJE344G Plastic NPN Silicon Medium-Power Transistor This device is useful for medium voltage applications requiring high fT such as converters and extended range amplifiers. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS NPN SILICON Rating Symbol Value Unit 150-200 VOLTS, 20 WATTS Collector-Emitter Volt
Другие транзисторы: MJE33B, MJE33C, MJE34, MJE340, MJE340K, MJE341, MJE341K, MJE3439, 2N5551, MJE3440, MJE344K, MJE345, MJE34A, MJE34B, MJE34C, MJE350, MJE3520
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732



