MJE344. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE344

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для MJE344

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE344 даташит

 0.1. Size:67K  st
mje3440.pdfpdf_icon

MJE344

MJE3440 SILICON NPN TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar transistors in SOT-32 plastic package. It is designed for use in consumer and industrial line-operated applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO 350 V Collector-Base Voltag

 0.2. Size:147K  onsemi
mje344g.pdfpdf_icon

MJE344

MJE344G Plastic NPN Silicon Medium-Power Transistor This device is useful for medium voltage applications requiring high fT such as converters and extended range amplifiers. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS NPN SILICON Rating Symbol Value Unit 150-200 VOLTS, 20 WATTS Collector-Emitter Volt

 0.3. Size:62K  onsemi
mje344-d.pdfpdf_icon

MJE344

Другие транзисторы: MJE33B, MJE33C, MJE34, MJE340, MJE340K, MJE341, MJE341K, MJE3439, 2N5551, MJE3440, MJE344K, MJE345, MJE34A, MJE34B, MJE34C, MJE350, MJE3520