MJE4353 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MJE4353 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 800 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO218
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MJE4353
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJE4353 даташит
mje4343 mje4353.pdf
MJE4343 (NPN), MJE4353 (PNP) High-Voltage - High Power Transistors . . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. http //onsemi.com Features 16 AMPS High Collector-Emitter Sustaining Voltage - NPN PNP POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 160 Vdc - MJE4343 MJE4353 COMPLEMENTARY High DC Current Gain - @ IC = 8.0 Adc h
mje4350 mje4351 mje4352 mje4353.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors MJE4350/4351/4352/4353 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min)- MJE4350 CEO(SUS) = -120V(Min)- MJE4351 = -140V(Min)- MJE4352 = -160V(Min)- MJE4353 Low Saturation Voltage Complement to the NPN MJE4340/4341/4342/4343 APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching r
mje4353.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor MJE4353 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -160V(Min) CEO(SUS) DC current gain - h = 15 (Min) @I = -8 A FE C h = 8 (Min) @I = -16A FE C Complement to Type MJE4343 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For use in high power audio amplifier and switching reg
Другие транзисторы: MJE42C, MJE4340, MJE4341, MJE4342, MJE4343, MJE4350, MJE4351, MJE4352, MJE340, MJE47, MJE48, MJE488, MJE49, MJE4918, MJE4919, MJE4920, MJE4921
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BD567 | BD540D
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679



