MJE5742 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE5742  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE5742

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE5742 даташит

 0.1. Size:129K  onsemi
mje5742g.pdfpdf_icon

MJE5742

MJE5740G, MJE5742G NPN Silicon Power Darlington Transistors The MJE5740G and MJE5742G Darlington transistors are designed for high-voltage power switching in inductive circuits. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* POWER DARLINGTON Applications TRANSISTORS Small Engine Ignition 8 AMPERES Switching Regulators 300-400 VOLTS Inv

 8.1. Size:216K  motorola
mje5740r.pdfpdf_icon

MJE5742

 9.1. Size:190K  motorola
mje5730r.pdfpdf_icon

MJE5742

 9.2. Size:162K  onsemi
mje5730g.pdfpdf_icon

MJE5742

MJE5730, MJE5731, MJE5731A High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching http //onsemi.com applications. 1.0 AMPERE Features POWER TRANSISTORS 300 V to 400 V (Min) - VCEO(sus) PCP SILICON 1.0 A Rated Collector Current 300-350-400 VOLTS Popular T

Другие транзисторы: MJE5656, MJE5657, MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5732, MJE5740, MJE5741, MPSA42, MJE5850, MJE5851, MJE5852, MJE5974, MJE5975, MJE5976, MJE5977, MJE5978