MJF10012 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF10012  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF10012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF10012 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MJE802T, MJE803, MJE803T, MJE8500, MJE8501, MJE8502, MJE8503, MJE9780, S9014, MJF122, MJF127, MJF13007, MJF15030, MJF15031, MJF16002, MJF16006A, MJF16010A