Справочник транзисторов. MJF13007

 

Биполярный транзистор MJF13007 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJF13007
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для MJF13007

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF13007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13007.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13007DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 2.0(Max) @ I = 5.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are pa

 7.1. Size:80K  njs
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13007

 7.2. Size:207K  inchange semiconductor
 mjf13005.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13005DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 0.6(Max.) @ I = 2.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJE8500 , MJE8501 , MJE8502 , MJE8503 , MJE9780 , MJF10012 , MJF122 , MJF127 , A940 , MJF15030 , MJF15031 , MJF16002 , MJF16006A , MJF16010A , MJF16204 , MJF16206 , MJF16210 .

History: PDTA123EU | 2SA624 | TP3709 | KTN2907

 

 
Back to Top

 


 
.