MJF13007 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF13007  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF13007

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF13007 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13007.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13007 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 2.0(Max) @ I = 5.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are pa

 7.1. Size:80K  njs
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13007

 7.2. Size:207K  inchange semiconductor
 mjf13005.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13005 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 0.6(Max.) @ I = 2.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13007

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13009 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 1.5 (Max) @ I = 8.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE8500, MJE8501, MJE8502, MJE8503, MJE9780, MJF10012, MJF122, MJF127, S8550, MJF15030, MJF15031, MJF16002, MJF16006A, MJF16010A, MJF16204, MJF16206, MJF16210