Справочник транзисторов. MJH11018

 

Биполярный транзистор MJH11018 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJH11018
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для MJH11018

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH11018 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  motorola
 mjh11017 mjh11018 mjh11019 mjh11020 mjh11021 mjh11022.pdf pdf_icon

MJH11018

Order this documentMOTOROLAby MJH11017/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJH10012(See MJ10012)Complementary DarlingtonPNPSilicon Power Transistors*MJH11017. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching andmotor control applications.MJH11019* High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (All Types) CollectorEmitter Sustaining Vo

 ..2. Size:224K  inchange semiconductor
 mjh11018.pdf pdf_icon

MJH11018

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJH11018DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 400(Min)@ I = 10AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ I = 10ACE(sat) C= 4.0V(Max)@ I = 15ACComplement to Type MJH11017Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and r

 7.1. Size:141K  onsemi
 mjh11019g.pdf pdf_icon

MJH11018

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 7.2. Size:141K  onsemi
 mjh11017g.pdf pdf_icon

MJH11018

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJF2955 , MJF3055 , MJF47 , MJF6107 , MJF6388 , MJF6688 , MJH10012 , MJH11017 , 13005 , MJH11019 , MJH11020 , MJH11021 , MJH11022 , MJH12004 , MJH13090 , MJH13091 , MJH16002 .

History: BCP52-16T3 | 2SC5171S | 2SD668B | 2SC3356W | SBN13001

 

 
Back to Top

 


 
.