MJH11019 - описание и поиск аналогов

 

MJH11019 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJH11019
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для MJH11019

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH11019 - технические параметры

 ..1. Size:212K  motorola
 mjh11017 mjh11018 mjh11019 mjh11020 mjh11021 mjh11022.pdf pdf_icon

MJH11019

Order this document MOTOROLA by MJH11017/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJH10012 (See MJ10012) Complementary Darlington PNP Silicon Power Transistors * MJH11017 . . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. MJH11019* High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (All Types) Collector Emitter Sustaining Vo

 0.1. Size:141K  onsemi
 mjh11019g.pdf pdf_icon

MJH11019

MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP) MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) Complementary Darlington http //onsemi.com Silicon Power Transistors These devices are designed for use as general purpose amplifiers, 15 AMPERE DARLINGTON low frequency switching and motor control applications. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 7.1. Size:141K  onsemi
 mjh11017g.pdf pdf_icon

MJH11019

MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP) MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) Complementary Darlington http //onsemi.com Silicon Power Transistors These devices are designed for use as general purpose amplifiers, 15 AMPERE DARLINGTON low frequency switching and motor control applications. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 7.2. Size:222K  inchange semiconductor
 mjh11017.pdf pdf_icon

MJH11019

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJH11017 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 400(Min)@ I = -10A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -150V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.5V(Max)@ I = -10A CE(sat) C = -4.0V(Max)@ I = -15A C Complement to Type MJH11018 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJF3055 , MJF47 , MJF6107 , MJF6388 , MJF6688 , MJH10012 , MJH11017 , MJH11018 , 2SC945 , MJH11020 , MJH11021 , MJH11022 , MJH12004 , MJH13090 , MJH13091 , MJH16002 , MJH16002A .

 

 
Back to Top

 


 
.