Биполярный транзистор MMBR571LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBR571LT1
Маркировка: 7X
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBR571LT1
MMBR571LT1 Datasheet (PDF)
mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR571LT1/DThe RF LineMMBR571LT1NPN SiliconMPS571 MRF571High-Frequency TransistorsMRF5711LT1Designed for low noise, wide dynamic range frontend amplifiers andlownoise VCOs. Available in a surfacemountable plastic package, as well asthe popular TO226AA (TO92) package. This Motorola series of smal
mmbr5179.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR5179LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR5179LT1High-Frequency TransistorDesigned for smallsignal amplification at frequencies to 500 MHz.Specifically packaged for use in thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 200 MHz Low Noise NF = 4.5 dB Typ @
mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT
mmbr5031.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR5031LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR5031LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHz Low Noise NF = 2.5 dB Typ @ f
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZXTN2040F
History: ZXTN2040F
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050