MMBT100A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT100A  📄📄 

Маркировка: NA1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT100A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT100A даташит

 ..1. Size:146K  fairchild semi
 pn100 pn100a mmbt100 mmbt100a.pdf pdf_icon

MMBT100A

October 2008 PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. C E TO-92 SOT-23 B 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector

 ..2. Size:260K  onsemi
 pn100 pn100a mmbt100 mmbt100a.pdf pdf_icon

MMBT100A

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:185K  fairchild semi
 mmbt100.pdf pdf_icon

MMBT100A

PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier 3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. 2 SOT-23 TO-92 1 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Mark N1/N1A Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.1. Size:112K  motorola
 mmbt1010 msd1010t1.pdf pdf_icon

MMBT100A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT1010LT1/D MMBT1010LT1 Low Saturation Voltage MSD1010T1 Motorola Preferred Devices PNP Silicon Driver Transistors Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy PNP GENERAL in general purpose driver applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBR941, MMBR941BLT1, MMBR941BLT3, MMBR941LT1, MMBR941LT3, MMBR951ALT1, MMBR951LT1, MMBT100, S8550, MMBT1613, MMBT1613A, MMBT1613R, MMBT1711, MMBT1893, MMBT1893R, MMBT200, MMBT200A