MMBT1711 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT1711  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для MMBT1711

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT1711 даташит

 9.1. Size:112K  motorola
mmbt1010 msd1010t1.pdfpdf_icon

MMBT1711

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT1010LT1/D MMBT1010LT1 Low Saturation Voltage MSD1010T1 Motorola Preferred Devices PNP Silicon Driver Transistors Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy PNP GENERAL in general purpose driver applicatio

 9.2. Size:185K  fairchild semi
mmbt100.pdfpdf_icon

MMBT1711

PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier 3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. 2 SOT-23 TO-92 1 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Mark N1/N1A Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 9.3. Size:146K  fairchild semi
pn100 pn100a mmbt100 mmbt100a.pdfpdf_icon

MMBT1711

October 2008 PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. C E TO-92 SOT-23 B 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector

 9.4. Size:108K  diodes
mmbt123s.pdfpdf_icon

MMBT1711

MMBT123S 1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-23 Ideal for Medium Power Amplification and Switching C Dim Min Max Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant A 0.37 0.51 B C "Green" Device (Notes 2 and 4) B 1.20 1.40 TOP VIEW B E D C 2.30 2.50 E

Другие транзисторы: MMBR941LT3, MMBR951ALT1, MMBR951LT1, MMBT100, MMBT100A, MMBT1613, MMBT1613A, MMBT1613R, BD335, MMBT1893, MMBT1893R, MMBT200, MMBT200A, MMBT2218, MMBT2218A, MMBT2219, MMBT2219A